الثايرستور ذو التبديل السريع (سلسلة YC عالية المستوى)

وصف

تم تقديم معيار التصنيع وتقنية المعالجة لشركة GE واستخدامهما بواسطة RUNAU Electronics منذ الثمانينيات.كانت حالة التصنيع والاختبار الكاملة متوافقة تمامًا مع متطلبات متطلبات سوق الولايات المتحدة الأمريكية.كشركة رائدة في تصنيع الثايرستور في الصين ، قدمت شركة RUNAU Electronics فن أجهزة إلكترونيات الطاقة الحكومية للولايات المتحدة الأمريكية والدول الأوروبية والمستخدمين العالميين.إنها مؤهلة للغاية ويتم تقييمها من قبل العملاء وتم إنشاء المزيد من المكاسب والقيمة الكبيرة للشركاء.

مقدمة:

1. رقاقة

رقاقة الثايرستور المصنعة بواسطة RUNAU Electronics هي تقنية صناعة السبائك الملبدة المستخدمة.تم تلبيد رقاقة السيليكون والموليبدينوم للسبائك بواسطة الألمنيوم النقي (99.999٪) في بيئة فراغ عالية ودرجة حرارة عالية.تعتبر إدارة خصائص التلبيد العامل الرئيسي الذي يؤثر على جودة الثايرستور.خبرة RUNAU Electronics بالإضافة إلى إدارة عمق تقاطع السبيكة وتسطيح السطح وتجويف السبيكة ومهارة الانتشار الكاملة ونمط الدائرة الحلقية وهيكل البوابة الخاص.كما تم استخدام المعالجة الخاصة لتقليل عمر الناقل للجهاز ، بحيث يتم تسريع سرعة إعادة تركيب الناقل الداخلي بشكل كبير ، وتقليل شحنة الاسترداد العكسي للجهاز ، وتحسين سرعة التحويل نتيجة لذلك.تم تطبيق هذه القياسات لتحسين خصائص التبديل السريع ، وخصائص الحالة ، وخاصية التيار المفاجئ.أداء وعملية التوصيل للثايرستور موثوق وفعال.

2. التغليف

من خلال التحكم الصارم في التسطيح والتوازي لرقائق الموليبدينوم والحزمة الخارجية ، سيتم دمج رقاقة الموليبدينوم ورقاقة الموليبدينوم مع العبوة الخارجية بإحكام وبشكل كامل.سيؤدي هذا إلى تحسين مقاومة التيار المفاجئ والتيار الكهربائي العالي.وقد تم استخدام قياس تقنية تبخر الإلكترون لإنشاء فيلم ألومنيوم سميك على سطح رقاقة السيليكون ، وستعمل طبقة الروثينيوم المطلية على سطح الموليبدينوم على تعزيز مقاومة الإجهاد الحراري بشكل كبير ، وسيتم زيادة وقت العمل في الثايرستور التبديل السريع بشكل كبير.

المواصفات الفنية

1. الثايرستور سريع التبديل مع رقاقة من نوع السبائك المصنعة بواسطة RUNAU Electronics قادرة على توفير المنتجات المؤهلة بالكامل وفقًا لمعايير الولايات المتحدة الأمريكية.
2. I_GT، الخامس_GTو انا_Hهي قيم الاختبار عند 25 ، ما لم يذكر خلاف ذلك ، فإن جميع المعلمات الأخرى هي قيم الاختبار تحت T_jm;
3. I²ر = أنا²F SM × tw / 2، tw = عرض قاعدة تيار نصف الموجة الجيبية.عند 50 هرتز ، أنا²ر = 0.005 أنا²ولايات ميكرونيزيا الموحدة (أ²س)؛
4. عند 60 هرتز:_{ولايات ميكرونيزيا الموحدة}(8.3 مللي ثانية) = أنا_{ولايات ميكرونيزيا الموحدة}(10 مللي ثانية) × 1.066 ، T._j=T_j؛أنا²ر (8.3 مللي ثانية) = أنا²ر (10 مللي ثانية) × 0.943 ، T._j=T_jm

معامل: