اضغط على حزمة IGBT
اضغط على حزمة IGBT (IEGT)
| يكتب | VDRM V | VRRM V | IT (AV)@ 80 ℃ A | ITGQM @ CS أ / F | ITSM @ 10ms kA | VTM V | VTO V | rT مΩ | TVJM ℃ | رثجك ℃ / دبليو | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | 0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
ملحوظة:D- مع دجزء iode ، A-بدون جزء الصمام الثنائي
تقليديًا ، تم تطبيق وحدات IGBT الملامسة للحام في ترس التبديل لنظام نقل التيار المستمر المرن.حزمة الوحدة هي تبديد الحرارة من جانب واحد.قدرة طاقة الجهاز محدودة وليست مناسبة للتوصيل في سلسلة ، أو ضعف العمر في الهواء الملحي ، أو ضعف الاهتزازات المضادة للصدمات أو التعب الحراري.
لا يحل جهاز IGBT الجديد ذو الضغط العالي ذو الضغط العالي فقط مشاكل الشغور في عملية اللحام ، والتعب الحراري لمواد اللحام والكفاءة المنخفضة لتبديد الحرارة من جانب واحد ، ولكنه يلغي أيضًا المقاومة الحرارية بين المكونات المختلفة ، تقليل الحجم والوزن.وتحسين كفاءة العمل وموثوقية جهاز IGBT بشكل كبير.إنها مناسبة جدًا لتلبية متطلبات الطاقة العالية والجهد العالي والموثوقية العالية لنظام النقل DC المرن.
يعد استبدال نوع اتصال اللحام بواسطة حزمة الضغط IGBT أمرًا ضروريًا.
منذ عام 2010 ، تم تطوير Runau Electronics لتطوير جهاز IGBT من النوع الجديد والضغط على العبوة ونجاح الإنتاج في عام 2013. وقد تم اعتماد الأداء من خلال التأهيل الوطني وتم الانتهاء من الإنجاز المتطور.
الآن يمكننا تصنيع وتقديم حزمة ضغط IGBT من نطاق IC في نطاق 600A إلى 3000A و VCES في نطاق 1700V إلى 6500V.من المتوقع للغاية وجود فرصة رائعة لاستخدام حزمة الضغط IGBT المصنوعة في الصين ليتم تطبيقها في نظام نقل التيار المستمر المرن في الصين ، وستصبح حجرًا آخر على مستوى عالمي في صناعة إلكترونيات الطاقة في الصين بعد قطار كهربائي فائق السرعة.
مقدمة موجزة عن الوضع النموذجي:
1. الوضع: اضغط على حزمة IGBT CSG07E1700
●الخصائص الكهربائية بعد التعبئة والضغط
● عكسموازيمتصلديود الانتعاش السريعانتهى
● المعلمة ：
القيمة المقدرة （25 ℃）
أ.جهد باعث المجمع: VGES = 1700 V
ب.جهد باعث البوابة: VCES = ± 20 （V
ج.تيار المجمع: IC = 800 （A） ICP = 1600 （A）
د.تبديد طاقة الجامع: PC = 4440 （W）
ه.درجة حرارة تقاطع العمل: Tj = －20 ~ 125 ℃
F.درجة حرارة التخزين: Tstg = －40 ~ 125 ℃
ملحوظة: سيتلف الجهاز إذا تجاوز القيمة المقدرة
الكهرباءCالخصائص، TC ＝ 125 ℃ ， Rth (المقاومة الحراريةتقاطع لقضية）غير مشمول
أ.تيار تسرب البوابة: IGES = ± 5 （μA）
ب.جامع باعث يسد تيار ICES = 250 مللي أمبير
ج.جهد تشبع الباعث للمجمع: VCE (sat) = 6 (V)
د.جهد عتبة بواعث البوابة: VGE (th) = 10 (V)
ه.وقت التشغيل: طن = 2.5 ميكرو ثانية
F.إيقاف الوقت: Toff = 3μs
2. الوضع: اضغط على حزمة IGBT CSG10F2500
●الخصائص الكهربائية بعد التعبئة والضغط
● عكسموازيمتصلديود الانتعاش السريعانتهى
● المعلمة ：
القيمة المقدرة （25 ℃）
أ.جهد باعث المجمع: VGES = 2500 （V）
ب.جهد باعث البوابة: VCES = ± 20 （V
ج.تيار المجمع: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
د.تبديد طاقة الجامع: PC = 4800 （W）
ه.درجة حرارة تقاطع العمل: Tj = －40 ~ 125 ℃
F.درجة حرارة التخزين: Tstg = －40 ~ 125 ℃
ملحوظة: سيتلف الجهاز إذا تجاوز القيمة المقدرة
الكهرباءCالخصائص، TC ＝ 125 ℃ ， Rth (المقاومة الحراريةتقاطع لقضية）غير مشمول
أ.تيار تسرب البوابة: IGES = ± 15 （μA）
ب.جامع الباعث الذي يحجب تيار ICES = 25 مللي أمبير
ج.جهد تشبع الباعث للمجمع: VCE (sat) = 3.2 (V)
د.جهد عتبة بواعث البوابة: VGE (th) = 6.3 (V)
ه.وقت التشغيل: طن = 3.2 ميكرو ثانية
F.إيقاف الوقت: Toff = 9.8μs
ز.الجهد الأمامي للديود: VF = 3.2 فولت
ح.وقت الاسترداد العكسي للديود: Trr = 1.0 μs
3. الوضع: اضغط على حزمة IGBT CSG10F4500
●الخصائص الكهربائية بعد التعبئة والضغط
● عكسموازيمتصلديود الانتعاش السريعانتهى
● المعلمة ：
القيمة المقدرة （25 ℃）
أ.جهد باعث المجمع: VGES = 4500 V
ب.جهد باعث البوابة: VCES = ± 20 （V
ج.تيار المجمع: IC = 600 （A） ICP = 2000 （A）
د.تبديد طاقة الجامع: PC = 7700 （W）
ه.درجة حرارة تقاطع العمل: Tj = －40 ~ 125 ℃
F.درجة حرارة التخزين: Tstg = －40 ~ 125 ℃
ملحوظة: سيتلف الجهاز إذا تجاوز القيمة المقدرة
الكهرباءCالخصائص، TC ＝ 125 ℃ ， Rth (المقاومة الحراريةتقاطع لقضية）غير مشمول
أ.تيار تسرب البوابة: IGES = ± 15 （μA）
ب.جامع الباعث الذي يحجب تيار ICES = 50 مللي أمبير
ج.جهد تشبع جهاز التجميع: VCE (sat) = 3.9 (V)
د.جهد عتبة بواعث البوابة: VGE (th) = 5.2 (V)
ه.وقت التشغيل: طن = 5.5 ميكرو ثانية
F.إيقاف الوقت: Toff = 5.5μs
ز.الجهد الأمامي للديود: VF = 3.8 فولت
ح.وقت الاسترداد العكسي للديود: Trr = 2.0 μs
ملحوظة:تعد حزمة الضغط IGBT ميزة في الموثوقية الميكانيكية العالية على المدى الطويل ، والمقاومة العالية للضرر وخصائص هيكل توصيل الضغط ، وهي ملائمة للاستخدام في الجهاز المتسلسل ، ومقارنة مع GTO الثايرستور التقليدي ، IGBT هي طريقة دفع الجهد .لذلك ، فهي سهلة التشغيل وآمنة وواسعة النطاق.